Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

учебная и научная литература

учебники и пособия для вузов

знания и навыки

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост

Время жестоких снов

Yıkıcılık ve ölüm dürtüsü

Культурное пространство «Киммерия Максимилиана Волошина». Вып. 1

Миграция и эмиграция в странах Центральной и Юго-Восточной Европы XVIII-XX вв.

Материаловедение и металловедение сварки

Религия и русь, XV–XVIII вв.

1929: «Великий перелом» и его последствия. Материалы XII Международной научной конференции. Екатеринбург, 26–28 сентября 2019 г.

Высшее образование в спектре меняющихся социально-экономических и политических приоритетов